Rasterelektronenmikroskopie

Mit der Rasterelektronenmikroskopie (REM) werden die Morphologie und Topographie der PVD-Dünnschichten analysiert. Weiterhin können die Schichtdicken an Bruchflächen der Substrat/Schichtverbunde ermittelt werden, um die Abscheideraten der Beschichtungsprozesse zu berechnen. Die integrierte energiedispersive Röntgenspektroskopie (engl. energy dispersive x-ray spectroscopy, kurz EDX) ermöglicht zudem die Bestimmung der chemischen Elemente von PVD-Dünnschichten.

Am LWT wird das Feldemission-Rasterelektronenmikroskop des Typs JSM 7001F der Firma JEOL Ltd. (Akishima, Japan) für die Schichtcharakterisierung eingesetzt. Die Sekundärelektronen- (engl. secondary electrons, kurz SE) und Rückstreuelektronendetektoren (engl. backscattered electrons, kurz BSE) erzeugen die Aufnahmen der Bruchflächen und Oberflächen. Mit dem Silizium-Drift-Detektor des Typs INCA x-act der Firma Oxford Instruments (Abingdon, Vereinigtes Königreich) werden die EDX-Messungen durchgeführt.